SS12-E3/1T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-E3/1T
| Artikelnummer: | SS12-E3/1T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-E3/1T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SS12-E3/1T.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 500 mV @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 20 V Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer SS12 SS12-E3/1T Einzelheiten PDF [English] SS12-E3/1T PDF - EN.pdf -
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